Nexperia PDTA143EQA
" (72515)Quality Information for Product Type PDTA143EQA
Reliability Results for Product Type PDTA143EQA
PDTA143EU化学成分
该资料详细描述了PDTA143EU型号元器件的化学成分、封装类型、重量、焊接工艺、材料组成及百分比、CAS编号等信息。资料中还包括了制造地点、材料组别、纯金属层、添加剂、颜料、聚合物、杂质等详细信息。此外，还包含了免责声明和注意事项，指出信息仅供参考，且可能存在微小偏差。
PDTA143EU产品质量信息
本资料由Nexperia Semiconductors提供，针对PDTA143EU产品类型的质量与可靠性数据进行概述。资料包含产品型号、订购信息、认证等级、封装类型、晶圆厂、组装厂、静电放电（ESD）测试结果、计算故障率和平均故障间隔时间（MTBF/MTTF）等信息。资料强调数据仅供参考，不保证产品在超出规定条件下操作时的性能。资料还说明了汽车认证产品符合AEC-Q101标准，并提供了故障率计算和MTBF/MTTF计算的相关参数。
PDTA143EM产品质量信息
本资料由Nexperia Semiconductors提供，针对产品类型PDTA143EM的质量和可靠性数据进行概述。资料内容包括产品型号、订购信息、认证等级、封装类型、晶圆厂、组装厂、ESD HBM测试结果、计算失效率和MTBF/MTTF等。资料强调数据仅供参考，不保证产品在超出规定条件下运行时的性能。资料还提及了汽车级产品符合AEC-Q101标准，并详细说明了ESD测试方法和FIT计算参数。
China RoHS PDTA143EU
China RoHS PDTA143EM
China RoHS PDTA143EMB
Information about product quality of device type PDTA143EE
Nexperia Logic Translators
Nexperia B.V.和附录中提到的组织的新ISO 14001：2015和ISO 45001：2018证书
Nexperia B.V. 及相关组织获得新的 ISO 14001:2015 和 ISO 45001:2018 认证。由于新冠疫情影响，审计以远程方式进行，有效期限延长六个月。远程审计覆盖所有标准要素，Nexperia 已实施所有纠正措施，并计划在 2021 年 5 月/6 月进行现场监督审计，以确保证书更新。
Nexperia一瞥
Nexperia专注于高体积生产的离散和MOSFET组件以及模拟和逻辑IC，满足汽车行业严格的品质标准。公司以效率为核心，每年生产超过900亿个半导体产品，产品在工艺、尺寸、功率和性能方面具有行业领先的小型封装。Nexperia在全球拥有超过11,000名员工，业务遍及亚洲、欧洲和美国，提供全球支持。公司在小信号二极管和晶体管、ESD保护器件、PowerMOS汽车、逻辑器件等领域位居行业前列。
Nexperia packing indications Packing letter codes used in orderable part number
PDTA143E series PNP resistor-equipped transistors Product data sheet
Nexperia NFC antenna protection diodes PESD18VF1Bx and PESD24VF1Bx
Nexperia Selection Guide 2021
Nexperia Selection Guide 2020
Paralleling of Nexperia GaN FETs: How to overcome challenges in Paralleling GaNFETs and increase the power capability of a Power design
Nexperia Home 8550软件开发套件
Nexperia Home 8550软件开发套件（NH-8550 SDK）为开发基于Nexperia PNX8550家庭娱乐引擎的电视、机顶盒和家用媒体服务器产品提供了一套完整的参考平台。该套件包括基于PNX8550的参考硬件、系统软件、AV流媒体软件层、操作系统、演示和示例应用程序、测试流、诊断软件和软件工具。NH-8550 SDK支持全球模拟电视标准的基本功能，包括双路模拟电视信号调谐和解码、数字静态图像格式解码和多种MPEG音频标准解码。此外，SDK还支持多种数据服务捕获和多种可选功能。
用于功率MOSFET的SPICE和VHDL-AMS中的Nexperia精密电热模型
本资料介绍了Nexperia公司提供的电热MOSFET模型，包括如何在LTspice™和PartQuest™ Explore中导入和使用这些模型。资料详细说明了模型的特性、使用方法、能力限制以及如何获取模型。此外，还提供了模型在模拟中的行为示例，包括阈值电压、RDSon、输出特性、二极管特性、体效应、漏电流、击穿电压、电容和栅极电荷等。资料还讨论了模型与数据表之间的比较、模拟技巧和模型的完整模拟有效性范围。
AN90016 Maximum continuous currents in NEXPERIA LFPAK power MOSFETs
Nexperia氮化镓FET在半桥拓扑结构中的并联应用笔记
本应用笔记详细介绍了在半桥拓扑中并联Nexperia TO-247 GaN FET时的电路设计和PCB布局建议。内容涵盖GaN FET在半桥配置中的并联设计，包括电流共享、门极驱动设计、DC总线抑制和去耦电容等关键要素。此外，还提供了电路图、PCB布局和物料清单，以帮助设计师实现高效、稳定的GaN FET并联应用。
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